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利用Si（111）晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法 現(xiàn)行

Test method for calibrating the z-magnification of an atomic force microscope at subnanometer displacement levels using Si(111) monatomic step

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 27760-2011

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 27760-2011
發(fā)布時(shí)間：2011-12-30
實(shí)施時(shí)間：2012-05-01
首發(fā)日期：2011-12-30
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：朱曉陽、楊延蓮、賀蒙、高潔
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法
ICS分類：試驗(yàn)條件和規(guī)程綜合
提出單位：中國(guó)科學(xué)院
起草單位：國(guó)家納米科學(xué)中心
歸口單位：全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 279)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 279)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用Si(111)晶面原子臺(tái)階高度樣品校準(zhǔn)原子力顯微鏡z向標(biāo)度的測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在大氣或真空環(huán)境下工作的原子力顯微鏡,并且其z 向放大倍率達(dá)到最大量級(jí),即z向位移在納米和亞納米范圍內(nèi),這是原子力顯微鏡用于檢測(cè)半導(dǎo)體表面,光學(xué)器件表面和其他高科技元件表面中經(jīng)常用到的檢測(cè)范圍。本標(biāo)準(zhǔn)并未指出所有可能的安全問題,在應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)之前,使用者有責(zé)任采取適當(dāng)?shù)陌踩徒】荡胧?并保證符合國(guó)家有關(guān)法規(guī)規(guī)定的條件。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)與ASTM E2530—2006《利用Si(111)晶面原子臺(tái)階對(duì)原子力顯微鏡亞納米高度測(cè)量進(jìn)行校準(zhǔn)的方法》(英文版)技術(shù)內(nèi)容基本一致。
考慮到我國(guó)國(guó)情,在采用ASTM E2530—2006時(shí),本標(biāo)準(zhǔn)做了一些修改,有關(guān)技術(shù)性差異已編入正文中。附錄A(規(guī)范性附錄)中給出樣品制備方法,附錄B(資料性附錄)中列出了本標(biāo)準(zhǔn)章條編號(hào)與ASTM E2530—2006章條編號(hào)的對(duì)照一覽表,附錄C(資料性附錄)中給出了技術(shù)性差異及其原因一覽表以供參考。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC279)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:國(guó)家納米科學(xué)中心。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:朱曉陽、楊延蓮、賀蒙、高潔。

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