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氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的原子力顯微鏡檢驗(yàn)法 現(xiàn)行

Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 32189-2015

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 32189-2015
發(fā)布時(shí)間：2015-12-10
實(shí)施時(shí)間：2016-11-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：劉爭(zhēng)暉、鐘海艦、徐耿釗、樊英民、邱永鑫、曾雄輝、王建峰、徐科
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬物理性能試驗(yàn)方法
ICS分類：金屬材料試驗(yàn)
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) (SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料會(huì)(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) (SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料會(huì)(SAC/TC203/SC2)
發(fā)布部門(mén)：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén)：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) (SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料會(huì)(SAC/TC2

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用原子力顯微鏡測(cè)試氮化鎵單晶襯底表面粗糙度的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法生長(zhǎng)制備的表面粗糙度小于10nm 的氮化鎵單晶襯底。其他具有相似表面結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體單晶襯底應(yīng)用本標(biāo)準(zhǔn)提供的方法進(jìn)行測(cè)試前,需經(jīng)測(cè)試雙方協(xié)商達(dá)成一致。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì) (SAC/TC203)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:劉爭(zhēng)暉、鐘海艦、徐耿釗、樊英民、邱永鑫、曾雄輝、王建峰、徐科。

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