電磁兼容 試驗和測量技術 電壓暫降、短時中斷和電壓變化的抗擾度試驗 現(xiàn)行
Electromagnetic compatibility - Testing and measurement techniques - Voltage dips，short interruptions and voltage variations immunity tests
標準號：GB/T 17626.11-2008
基本信息
標準號：GB/T 17626.11-2008
發(fā)布時間：2008-05-20
實施時間：2009-01-01
首發(fā)日期：1999-09-13
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：壽建霞、刑琳、林京平、何愛英、錢曉華、程麗玲
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 電磁兼容
ICS分類：抗擾性
提出單位：全國電磁兼容標準化技術委員會(SAC/TC 246)
起草單位：上海電器科學研究所（集團）有限公司、中國電子科技集團公司第三研究所
歸口單位：全國電磁兼容標準化技術委員會(SAC/TC 246)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
GB/T17626的本部分規(guī)定了與低壓供電網連接的電氣和電子設備對電壓暫降、短時中斷和電壓變化的抗擾度試驗方法和優(yōu)選的試驗等級范圍。本部分適用于額定輸入電流每相不超過16A 連接到50 Hz或者60Hz交流網絡的電氣和電子設備。本部分不適用于與400Hz交流網絡相連接的電氣和電子設備。這些網絡的試驗將在以后的標準中涉及。本部分的目的是建立一種評價電氣和電子設備在經受電壓暫降、短時中斷和電壓變化的抗擾度的通用準則。
標準摘要
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GB/T17626《電磁兼容 試驗和測量技術》目前包括以下部分: GB/T17626.1-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 抗擾度試驗總論 GB/T17626.2-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 靜電放電抗擾度試驗 GB/T17626.3-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 射頻電磁場輻射抗擾度試驗 GB/T17626.4-2008 電磁兼容 試驗和測量技術 電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗 GB/T17626.5-2008 電磁兼容 試驗和測量技術 浪涌(沖擊)抗擾度試驗 GB/T17626.6-2008 電磁兼容 試驗和測量技術 射頻場感應的傳導騷擾抗擾度 GB/T17626.7-2008 電磁兼容 試驗和測量技術 供電系統(tǒng)及所連設備諧波、諧間波的測量和測量儀器導則 GB/T17626.8-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 工頻磁場抗擾度試驗 GB/T17626.9-1998 電磁兼容 試驗和測量技術 脈沖磁場抗擾度試驗 GB/T17626.10-1998 電磁兼容 試驗和測量技術 阻尼振蕩磁場抗擾度試驗 GB/T17626.11-2008 電磁兼容 試驗和測量技術 電壓暫降、短時中斷和電壓變化的抗擾度試驗 GB/T17626.12-1998 電磁兼容 試驗和測量技術 振蕩波抗擾度試驗 GB/T17626.13-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 交流電源端口諧波、諧間波及電網信號的低頻抗擾度試驗 GB/T17626.14-2005 電磁兼容 試驗和測量技術 電壓波動抗擾度試驗 GB/T17626.16-2007 電磁兼容 試驗與測量技術 0Hz~150kHz傳導共模騷擾抗擾度試驗 GB/T17626.17-2005 電磁兼容 試驗和測量技術 直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗 GB/T17626.27-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 三相電壓不平衡抗擾度試驗 GB/T17626.28-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 工頻頻率變化抗擾度試驗 GB/T17626.29-2006 電磁兼容 試驗和測量技術 直流電源輸入端口電壓暫降、短時中斷和電壓變化的抗擾度試驗 本部分為GB/T17626的第11部分。 本部分等同采用國際標準IEC61000-4-11:2004(Ed2.0)。 本部分代替GB/T17626.11-1999《電磁兼容 試驗和測量技術 電壓暫降、短時中斷和電壓變化的抗擾度試驗》。 本部分與GB/T17626.11-1999主要差異在于: ---增加了引用文件GB/Z18509-2001 電磁兼容 電磁兼容標準起草導則。 ---增加了3條名詞術語:3.5剩余電壓;3.7校準;3.8校驗; ---增加了電壓暫降的試驗等級,明確了每個試驗等級優(yōu)先采用的持續(xù)時間。 ---短時中斷的持續(xù)時間進行了調整。 ---附錄B的內容改為電磁環(huán)境分類。 本部分的附錄A 為規(guī)范性附錄,附錄B和附錄C 為資料性附錄。 本部分由全國電磁兼容標準化技術委員會(SAC/TC246)提出并歸口。 本部分起草單位:上海電器科學研究所(集團)有限公司、中國電子科技集團公司第三研究所。 本部分主要起草人:壽建霞、邢琳、林京平、何愛英、錢曉華、程麗玲。 本部分代替標準的歷次版本發(fā)布情況: ---GB/T17626.11-1999。 |
標準目錄
| 前言Ⅲ 1 范圍1 2 規(guī)范性引用文件1 3 術語和定義1 4 概述2 5 試驗等級3 6 試驗設備6 7 試驗布置8 8 試驗程序8 9 試驗結果評價9 10 試驗報告10 附錄A (規(guī)范性附錄) 試驗電路說明11 附錄B (資料性附錄) 電磁環(huán)境分類13 附錄C (資料性附錄) 試驗儀器14 參考文獻16 |
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