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硅外延層厚度測定 堆垛層錯尺寸法 已作廢

標準號：YS/T 23-1992

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基本信息

標準號：YS/T 23-1992
發布時間：1992-03-09
實施時間：1993-01-01
首發日期：
起草人：吳耀芬、姚保綱、周康權
作廢日期：2016-09-01
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：中國有色金屬工業總公司標準計量研究
起草單位：上海市有色金屬總公司半導體材料i
發布部門：中國有色金屬工業總公司

標準簡介

本標 準 規 定了根據堆垛層錯尺寸測量硅處延層厚度的方法本標 準 適 用于在,tloo>和(110)晶向的硅單晶襯底仁生長的硅外延層厚度的測縫外延 層 中 應存在著發育完整的堆垛層錯，其大小可用干涉相襯顯微鏡r:接觀察(非破壞性的)，或經化學腐蝕后用金相顯微鏡觀察(破壞性的)。測量范圍為2^75 um.

替代情況

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引用標準

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