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硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法 現行

Polycrystalline silicon-examination method-assessment of sandwiches on cross-section by chemical corrosion

標準號：GB/T 4061-2009

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基本信息

標準號：GB/T 4061-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1983-12-20
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：袁金滿
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：洛陽中硅高科技有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學腐蝕檢驗方法。本標準關于斷面夾層的檢驗適用于以三氯氫硅和四氯化硅為原料,以細硅芯為發熱體,在還原爐內用氫氣還原沉積生長出來的硅多晶棒。

標準摘要

本標準代替GB4061-1983《硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法》。
本標準與原標準相比,主要有如下改動:
---增加了術語、試劑與器材;
---增加了檢驗報告內容;
---對試樣尺寸的切取方向和試樣處理內容增加了要求。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:洛陽中硅高科技有限公司。
本標準主要起草人:袁金滿。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
---GB4061-1983。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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