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硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法 現行
Practice for shallow etch pit detection on silicon
標準號：GB/T 26066-2010
基本信息
標準號：GB/T 26066-2010
發布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
首發日期：2011-01-10
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：田素霞、張靜雯、王文衛、周濤
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
標準簡介
本標準規定了用熱氧化和化學擇優腐蝕技術檢驗拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測方法。本標準適用于檢測或晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。
標準摘要
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本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。 本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司。 本標準主要起草人:田素霞、張靜雯、王文衛、周濤。 |
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