国产精品久久久在线观看_亚洲免费观看视频网站_国产盗摄视频一区二区三区_久久久国产一级 - 日本在线观看一区

歡迎來到寰標網！ 客服QQ：772084082 加入會員

半導體集成電路 塑料有引線片式載體封裝引線框架規范 現行

Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier package

標準號：GB/T 16525-2015

獲取原文 如何獲取原文？問客服 獲取原文，即可享受本標準狀態變更提醒服務！
基本信息

標準號：GB/T 16525-2015
發布時間：2015-05-15
實施時間：2016-01-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：林桂賢、許金圍、洪玉云
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半導體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學
提出單位：中華人民共和國工業和信息化部
起草單位：廈門永紅科技有限公司
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）

標準簡介

本標準規定了半導體集成電路塑料有引線片式載體(PLCC)封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規則。本標準適用于半導體集成電路塑料有引線片式載體(PLCC)封裝引線框架的研制、生產和采購。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準代替 GB/T16525—1996《塑料有引線片式載體封裝引線框架規范》。
本標準與 GB/T16525—1996相比主要變化如下:
———按照標準的使用范圍,將原標準的標準名稱修改為“半導體集成電路 塑料有引線片式載體封裝引線框架規范”;
———關于規范性引用文件:增加引導語;抽樣標準由 GB/T2828.1—2012代替 SJ/Z9007—87;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;
———標準中的4.1由“設計”改為“引線框架尺寸”,并將“精壓深度”“絕緣間隙”和“水平引線間距和位置(引線端部)”的有關內容調整到4.2;
———對標準的“4.2 引線框架形狀和位置公差”中相應條款順序進行了調整,并增加了“芯片粘接區下陷”的有關要求;
———修改了標準中對“側彎”的要求(見4.2.1):原標準僅規定了(203.2±50.8)mm 標稱條長上,側彎應不大于0.051mm,本標準在整個標稱長度上進行規定;
———修改了標準中對“卷曲”的要求(見4.2.2):原標準中僅規定了卷曲變形小于0.51mm,本標準根據材料的厚度分別進行了規定;
———修改了標準中對“條帶扭曲”的要求(見4.2.4):原標準中僅規定了框架扭曲不超過0.51mm,
本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據材料的厚度分別進行了規定;
———修改了標準中對“引線扭曲”的要求(見4.2.5):原標準中規定了引線扭曲的角度及引線寬度上的最大偏移量,本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規定;
———修改了標準中對“精壓深度”的要求(見4.2.6):原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響,簡單的規定了精壓深度的尺寸范圍。本標準修改為:在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm~0.06mm;
———將“金屬間隙”修改為“絕緣間隙”(見4.2.7),并修改了標準中對“絕緣間隙”的要求:原標準規定“每邊最大精壓凸出不超過0.051mm,應受金屬間隙要求的限制”,本標準修改為“相鄰兩精壓區端點間的間隔及精壓區端點與芯片粘接區間的間隔大于0.076mm”;
———修改了標準中對“芯片粘接區斜度”的要求(見4.2.9):原標準中分別規定了在打凹和未打凹條件下的最大斜度,本標準統一規定為在長或寬每2.54mm 尺寸最大傾斜0.05mm;
———修改了標準中對“芯片粘接區平面度”的要求(見4.2.11):原標準4.2.8.2芯片粘接區平面度與原標準4.2.2.2重復,本標準予以刪除。本標準取消了原標準4.2.2.2中每2.54mm 芯片粘接區長度的限制;
———修改了標準中對“毛刺”的要求(見4.3.1):取消了原標準中連筋內外不同區域垂直毛刺的不同要求,本標準統一規定為0.025mm;
———修改了標準中對“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見4.3.2):在原標準的基礎上增加劃痕的有關要求;
———修改了標準中對“局部鍍銀層厚度”的要求(見4.4.1):原標準僅規定了局部鍍銀層的厚度,本標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規定;
———修改了標準中對“鍍層外觀”的要求(見4.4.2):在原標準的基礎上,增加了對鍍層外觀的相關要求;
———增加了“銅剝離試驗”的有關要求(見4.6);
———增加了“銀剝離試驗”的有關要求(見4.7);
———對標準“5檢驗規則”中相應條款進行修改,并增加了鑒定批準程序和質量一致性檢驗的有關內容;
———修改了標準中對“貯存”的有關要求:原標準有鍍層的保存期為三個月,本標準規定為6個月(見7.2);
———增加了規范性附錄 A“引線框架機械測量”。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本標準由全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)歸口。
本標準起草單位:廈門永紅科技有限公司。
本標準主要起草人:林桂賢、許金圍、洪玉云。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB/T16525—1996。

替代情況

會員注冊/登錄后查看詳情

引用標準

會員注冊/登錄后查看詳情

本標準相關公告

會員注冊/登錄后查看詳情

采標情況

會員注冊/登錄后查看詳情

推薦檢測機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦認證機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~

推薦培訓機構
申請入駐

暫未檢測到相關機構，邀您申請入駐~