電子級多晶硅 現行
Electronic-grade polycrystalline silicon
標準號：GB/T 12963-2014
基本信息
標準號：GB/T 12963-2014
發布時間：2014-12-31
實施時間：2015-09-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：詹科、楊旭、種娜、黎亞文、梁洪、孫燕、劉曉霞、銀波、甘新業、嚴大洲
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 元素半導體材料
ICS分類：半導體材料
提出單位：半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)和全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
起草單位：峨嵋半導體材料研究所、四川新光硅業科技有限責任公司、有研半導體材料股份有限公司、江蘇中能硅業科技發展有限公司、新特能源股份有限公司、洛陽中硅高科技有限公司
歸口單位：半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)和全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會
標準簡介
本標準規定了多晶硅的要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、儲存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。本標準適用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。
標準摘要
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本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。 本標準代替 GB/T12963—2009《硅多晶》。本標準與 GB/T12963—2009相比,主要有如下變動: ———增加引用國家標準 GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(見第2章); ———增加了多晶硅的技術參數,包括施主雜質濃度、受主雜質濃度、氧濃度、基體金屬雜質濃度、表面金屬雜質濃度的要求(見表1); ———不同等 級 多 晶 硅 的 碳 濃 度 由 <1.5×1016atoms/cm3、<2×1016 atoms/cm3、<2×1016 atoms/cm3修訂為<4.0×1015atoms/cm3、<1.0×1016atoms/cm3、<1.5×1016atoms/cm3(見表1)。 請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。 本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)和全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。 本標準起草單位:峨嵋半導體材料研究所、四川新光硅業科技有限責任公司、有研半導體材料股份有限公司、江蘇中能硅業科技發展有限公司、新特能源股份有限公司、洛陽中硅高科技有限公司。 本標準起草人:詹科、楊旭、種娜、黎亞文、梁洪、孫燕、劉曉霞、銀波、甘新業、嚴大洲。 本標準所代替標準的歷次版本發布情況為: ———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。 |
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