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半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分:場效應(yīng)晶體管 第一篇 １GHｚ、５W以下的單柵場效應(yīng)晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor devices- Discrete devices- Part 8:Field-effect transistors -Section One-Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6219-1998

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6219-1998
發(fā)布時(shí)間：1998-01-01
實(shí)施時(shí)間：1999-06-01
首發(fā)日期：1986-04-12
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體三極管
ICS分類：三極管
起草單位：電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化所
歸口單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）

標(biāo)準(zhǔn)簡介

詳見本標(biāo)準(zhǔn)。

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