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硅雙柵場效應晶體管空白詳細規范
硅雙柵場效應晶體管空白詳細規范 已作廢
Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
標準號：GB/T 15450-1995
基本信息
標準號：GB/T 15450-1995
發布時間：1995-01-05
實施時間：1995-08-01
首發日期：1995-01-05
起草人：
作廢日期：2005-10-14
標準分類： 場效應器件
ICS分類：其他半導體器件
起草單位：上海無線電十四廠
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
發布部門：國家技術監督局
主管部門：信息產業部（電子）
標準簡介
本空白詳細規范規定了制訂硅雙柵場效應晶體管詳細規范的基本原則，制訂該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。本空白詳細規范是半導體器件空白詳細規范系列中的一個，并應與下列規范一起使用：GB 4589.1《半導體器件分立器件和集成電路總規范》，GB 12560《半導體器件分立器件分規范》
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