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Ⅲ族氮化物外延片晶格常數(shù)測(cè)試方法 現(xiàn)行

Test method for lattice constant of Ⅲ-nitride epitaxial layers

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30654-2014

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30654-2014
發(fā)布時(shí)間：2014-12-31
實(shí)施時(shí)間：2015-09-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：孫寶娟、趙麗霞、王軍喜、曾一平、李晉閩
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬物理性能試驗(yàn)方法
ICS分類：金屬材料無(wú)損檢測(cè)
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)
起草單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用高分辨 X射線衍射測(cè)試Ⅲ族氮化物外延片晶格常數(shù)的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在氧化物襯底(Al2O3、ZnO 等)或半導(dǎo)體襯底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生長(zhǎng)的氮化物(Ga,In,Al)N 單層或多層異質(zhì)外延片晶格常數(shù)的測(cè)量。其他異質(zhì)外延片晶格常數(shù)的測(cè)量也可參考本標(biāo)準(zhǔn)。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:孫寶娟、趙麗霞、王軍喜、曾一平、李晉閩。

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