表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度測量方法 現行
Surface chemical analysis—Depth profiling—Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS
標準號：GB/T 34326-2017
基本信息
標準號：GB/T 34326-2017
發布時間：2017-09-29
實施時間：2018-08-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：王海、王梅玲、張艾蕊、宋小平
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 基礎標準與通用方法
ICS分類：化學分析
提出單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
起草單位：中國計量科學研究院
歸口單位：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國微束分析標準化技術委員會(SAC/TC 38)
標準簡介
本標準規定了在俄歇電子能譜（AES）和X射線光電子能譜（XPS）中使用惰性氣體離子以保證濺射深度剖析具有好的深度分辨率以及最佳表面清潔效果而采取的離子束對準方法。這些方法分為兩類：一類通過法拉第杯測量離子束流，另一類通過成像方法。法拉第杯方法也規定了離子束束流密度和束流分布的測量。這些方法不包括深度分辨率的優化。 這些方法均適用于束斑直徑小于1 mm的離子槍。
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