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硅外延層堆垛層錯密度測定干涉相襯顯微鏡法 已作廢

Test method for stacking fault density of epitaxial layers of silicon by interference contrast microscopy

標準號：GB/T 14145-1993

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基本信息

標準號：GB/T 14145-1993
發布時間：1993-02-06
實施時間：1993-10-01
首發日期：1993-02-06
起草人：
作廢日期：2005-10-14
標準分類： 金相檢驗方法
ICS分類：  29.040.30
起草單位：上海有色金屬研究所
歸口單位：全國半導體材料和設備標準化技術委員會
發布部門：國家技術監督局
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了使用干涉相襯顯微鏡非破壞性測量硅外延層堆垛層錯密度的方法。本標準適用于硅外延層厚度不小于3μm、外延層晶向偏離｛111｝晶面或｛100｝晶面角度較小的試樣的堆垛層錯密度測量。當堆垛層錯密度超過15000cm-2或當外延層晶向與｛111｝晶面或｛100｝晶面偏離角度較大時，測量精度將有所降低。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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