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半導體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規范 現行

Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic quad flat package

標準號：GB/T 15876-2015

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基本信息

標準號：GB/T 15876-2015
發布時間：2015-05-15
實施時間：2016-01-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：林桂賢、陳仲賢、洪玉云
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半導體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學
提出單位：全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)
起草單位：廈門永紅科技有限公司
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）

標準簡介

本標準規定了半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝引線框架(以下簡稱引線框架)的技術要求及檢驗規則。本標準適用于半導體集成電路塑料四面引線扁平封裝沖制型引線框架。塑料四面引線扁平封裝刻蝕引線框架也可參照使用。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準代替 GB/T15876—1995《塑料四面引線扁平封裝引線框架規范》。
本標準與 GB/T15876—1995相比主要變化如下:
———按照標準的使用范圍,將原標準的標準名稱修改為“半導體集成電路 塑料四面引線扁平封裝引線框架規范”;
———規范性引用文件:增加引導語;抽樣標準由 GB/T2828.1—2012代替 SJ/Z9007—87;增加引用文件 GB/T2423.60—2008、SJ20129;
———標準中的4.1由“設計”改為“引線框架尺寸”,并將原標準中引線鍵合區寬度、精壓深度和金屬間隙的有關內容調整到4.2;
———對標準的“4.2 引線框架形狀和位置公差”中相應條款順序進行了調整,并增加了芯片粘接區下陷的有關要求;
———修改了標準中對“卷曲”的要求(見4.2.2):原標準中僅規定了卷曲變形小于0.51mm,本標準根據材料的厚度分別進行了規定;
———修改了標準中對“橫彎”的要求(見4.2.3):原標準中僅規定了引線數52~100、132~164、196~244三個范圍內的橫彎值,本標準擴大了引線數涵蓋的范圍;
———修改了標準中對“條帶扭曲”的要求(見4.2.4):原標準中僅規定了框架扭曲不超過0.51mm,本標準將框架扭曲修改為條帶扭曲,并根據材料的厚度分別進行了規定;
———修改了標準中對“引線扭曲”的要求(見4.2.5):原標準中規定了引線扭曲的角度及引線寬度上的最大偏移量,本標準刪除了引線寬度上最大偏移量的規定;
———修改了標準中對“精壓深度”的要求(見4.2.6):原標準未考慮精壓深度對精壓寬度的影響,簡單的規定了精壓深度的尺寸范圍。本標準修改為:在保證精壓寬度不小于引線寬度90%的條件下,精壓深度不大于材料厚度的30%,其參考值為0.015mm~0.06mm;
———將“金屬間隙”修改為“絕緣間隙”,并修改了標準中對“絕緣間隙”的要求(見4.2.7):原標準規定“金屬與金屬的間隙應受金屬間隙的要求限制,每邊最大精壓凸出不超過0.051mm”,本標準修改為“相鄰兩精壓區端點間的間隔及精壓區端點與芯片粘接區間的間隔大于0.076mm”;
———修改 了 標 準 中 對 “精 壓 引 線 端 共 面 性”的 要 求 (見 4.2.8):原 標 準 中 規 定 的 公 差 范 圍 為±0.15mm、±0.2mm,本標準考慮到極限情況把負差改為-0.1mm;
———修改了標準中對“芯片粘接區斜度”的要求(見4.2.9):原標準中分別規定了在打凹和未打凹條件下的最大斜度,本標準統一規定為在長或寬每2.54mm 尺寸最大傾斜0.05mm;
———將“芯片粘接區平整度”改為“芯片粘接區平面度”,并修改了標準中對“芯片粘接區平面度”的要求(見4.2.11):取消了原標準中每2.54mm 芯片粘接區長度的限制;
———修改了標準中對“毛刺”的要求(見 4.3.1):原標準中規定了垂直毛刺和水平毛刺都不超過0.025mm,本標準對垂直毛刺和水平毛刺分別進行了規定;
———修改了標準中對“凹坑、壓痕和劃痕”的要求(見4.3.2):在原標準的基礎上增加劃痕的有關要求;
———修改了標準中對“局部鍍銀層厚度”的要求(見4.4.1):原標準僅規定了局部鍍銀層的厚度,本
標準對局部鍍銀層厚度及任意點分別進行了規定;
———增加了“銅剝離試驗”的有關要求(見4.6);
———增加了“銀剝離試驗”的有關要求(見4.7);
———對標準“5檢驗規則”中相應條款進行修改,參照 GB/T14112—2015檢驗規則,并增加了鑒定批準程序和質量一致性檢驗的有關內容;
———修改了標準中對“貯存”的有關要求:原標準有鍍層的保存期為3個月,本標準規定為6個月(見7.2);
———增加了規范性附錄 A“引線框架機械測量”。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利。本文件的發布機構不承擔識別這些專利的責任。
本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本標準由全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)歸口。
本標準起草單位:廈門永紅科技有限公司。
本標準主要起草人:林桂賢、陳仲賢、洪玉云。
本標準所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB/T15876—1995。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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