用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的方法 已廢止
Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
標準號：GB/T 14863-2013
基本信息
標準號：GB/T 14863-2013
發布時間：2013-12-31
實施時間：2014-08-15
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：中華人民共和國工業和信息化部
起草單位：信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院
歸口單位：中國電子技術標準化研究院
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國電子技術標準化研究院
標準簡介
本標準規定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的測試方法。 本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值相同或相反導電類型襯底上的n型或p型外延層的凈載流子濃度測量。本標準也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測量。
標準摘要
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本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。 本標準代替GB/T14863—1993《用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法》。 本標準與GB/T14863—1993相比,主要有下列變化: ———增加了標準的“前言”; ———調整并增加了引用標準; ———對試驗條件、試驗方法進行了簡化和調整; ———對附錄進行了調整。 本標準由中華人民共和國工業和信息化部提出。 本標準由中國電子技術標準化研究院歸口。 本標準起草單位:信息產業部專用材料質量監督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術標準化研究院。 本標準主要起草人:何秀坤、董顏輝、周智慧、段曙光、劉筠。 本標準所代替標準的歷次版本發布情況為: ———GB/T14863—1993。 |
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