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微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定 現(xiàn)行

Test methods of precious metal pastes used for microelectronics - Determination of resolution

標準號：GB/T 17473.6-2008

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基本信息

標準號：GB/T 17473.6-2008
發(fā)布時間：2008-03-31
實施時間：2008-09-01
首發(fā)日期：1998-08-19
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：劉成、趙汝云、陳伏生、馬曉峰、劉繼松、朱武勛
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 貴金屬及其合金
ICS分類：其他有色金屬及其合金
提出單位：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會
起草單位：貴研鉑業(yè)股份有限公司
歸口單位：全國有色金屬標準化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會

標準簡介

本標準代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》（所有部分），本標準分為７個部分,本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料分辨率的測定方法。本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料的分辨率測定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８ 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法　分辨率測定》。本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下變動：———將原標準名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法　分辨率測定；———增加了固化型貴金屬漿料分辨率測定的內(nèi)容；———原“光刻膜絲網(wǎng)網(wǎng)徑２０２５μｍ 不銹鋼絲網(wǎng)”改為“光刻膜絲網(wǎng)，絲網(wǎng)孔徑不大于５４μｍ”；———增加６．３將印有固化型的試樣按其規(guī)定的工藝要求進行靜置、烘干、固化，固化后試樣膜厚控制在１μｍ～１５μｍ；———分辨率規(guī)格分級重新定義為０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ 五個級別。

標準摘要

本標準代替GB/T17473-1998 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》(所有部分),本標準分為7個部分:
---GB/T17473.1-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定;
---GB/T17473.2-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 細度測定;
---GB/T17473.3-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 方阻測定;
---GB/T17473.4-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 附著力測試;
---GB/T17473.5-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 粘度測定;
---GB/T17473.6-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定;
---GB/T17473.7-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 可焊性、耐焊性測定。
本部分為GB/T17473-2008的第6部分。
本部分代替GB/T17473.6-1998 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定》。
本部分與GB/T17473.6-1998相比,主要有如下變動:
---將原標準名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定;
---增加了固化型貴金屬漿料分辨率測定的內(nèi)容;
---原光刻膜絲網(wǎng)網(wǎng)徑2025μm 不銹鋼絲網(wǎng)改為光刻膜絲網(wǎng),絲網(wǎng)孔徑不大于54μm;
---增加6.3將印有固化型的試樣按其規(guī)定的工藝要求進行靜置、烘干、固化,固化后試樣膜厚控制在1μm~15μm;
---分辨率規(guī)格分級重新定義為0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm 五個級別。
本部分由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。
本部分由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會負責(zé)歸口。
本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負責(zé)起草。
本部分起草人:劉成、趙汝云、陳伏生、馬曉峰、劉繼松、朱武勛。
本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB/T17473.6-1998。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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