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半導(dǎo)體器件 分立器件 第6部分:閘流晶體管 第二篇 100A以下環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor devices -Discrete devices -Part 6:Thyristors- Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs), ambient or case-rated,up to 100A

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 6590-1998

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 6590-1998
發(fā)布時(shí)間：1998-01-01
實(shí)施時(shí)間：1999-06-01
首發(fā)日期：1986-07-23
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半導(dǎo)體整流器件
ICS分類：晶體閘流管
起草單位：電子部標(biāo)準(zhǔn)化所
歸口單位：全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
發(fā)布部門：國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：信息產(chǎn)業(yè)部（電子）

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定100A以下（含100A）環(huán)境或管殼額定的雙向三極閘流晶體管(包括快速型)詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)盡可能與本空白詳細(xì)規(guī)范相一致。

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