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聲表面波（SAW）器件用單晶晶片規(guī)范與測(cè)量方法 現(xiàn)行

Single crystal wafers for surface acoustic wave(SAW) device applications—Specifications and measuring methods

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30118-2013

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30118-2013
發(fā)布時(shí)間：2013-12-17
實(shí)施時(shí)間：2014-05-15
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：張小梅、蔣春健、吳兆剛、吳劍波、趙雄章、周洋舟
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 石英晶體、壓電元件
ICS分類：壓電器件和介質(zhì)器件
提出單位：中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)第二十六研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)德清華瑩電子有限公司、北京石晶光電科技有限公司
歸口單位：全國(guó)頻率控制和選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 182)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：全國(guó)頻率控制和選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 182)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了人造石英、鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)、四硼酸鋰(LBO)和硅酸鎵鑭(LGS)等單晶晶片等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于人造石英、鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)、四硼酸鋰(LBO)和硅酸鎵鑭(LGS)等單晶晶片。這些單晶晶片用作聲表面波(SAW)濾波器和諧振器等基片材料。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法修改采用IEC62276:2005《聲表面波(SAW)器件用單晶晶片規(guī)范與測(cè)量方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)在采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)時(shí)進(jìn)行了修改。這些技術(shù)性差異用垂直單線標(biāo)識(shí)在它們所涉及的條款的頁(yè)邊空白處。在附錄C中給出了技術(shù)性差異及其原因的一覽表以供參考。
本標(biāo)準(zhǔn)還作了下列編輯性修改:
———?jiǎng)h除了IEC標(biāo)準(zhǔn)前言。
———在引用標(biāo)準(zhǔn)中,用GB/T3505《產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范(GPS) 表面結(jié)構(gòu) 輪廓法 術(shù)語(yǔ)、定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)》代替ISO4287;用GB/T2828.1《計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃》代替IEC60410;用GB/T3352《人造石英晶體 規(guī)范與使用指南》代替IEC60758;此外,還增加了GB/T6618《硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法》。
———在圖1中原文把第二基準(zhǔn)面與基準(zhǔn)面畫成一樣,是不正確的,產(chǎn)品加工中第二基準(zhǔn)面應(yīng)比基準(zhǔn)面短,以便區(qū)分。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)頻率控制和選擇用壓電器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC182)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)第二十六研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)德清華瑩電子有限公司、北京石晶光電科技有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:張小梅、蔣春健、吳兆剛、吳劍波、趙雄章、周洋舟。

標(biāo)準(zhǔn)目錄

前言 Ⅲ
1 范圍 1
2 規(guī)范性引用文件 1
3 術(shù)語(yǔ)和定義 1
4 技術(shù)要求 6
4.1 材料 6
4.2 晶片 6
5 抽樣 10
5.1 概述 10
5.2 抽樣 10
5.3 抽樣方案 10
5.4 全數(shù)檢驗(yàn) 10
6 檢驗(yàn)方法 10
6.1 直徑 10
6.2 厚度 11
6.3 OF長(zhǎng)度 11
6.4 OF方向 11
6.5 TV5 11
6.6 翹曲度 11
6.7 TTV 11
6.8 晶片正面缺陷 11
6.9 包裹體 11
6.10 背面粗糙度 11
6.11 晶片方向 11
6.12 居里溫度 11
6.13 晶格常數(shù) 11
7 包裝、標(biāo)簽和標(biāo)識(shí)、交貨條件 12
7.1 包裝 12
7.2 標(biāo)簽和標(biāo)識(shí) 12
7.3 交貨條件 12
8 居里溫度的測(cè)量 12
8.1 概述 12
8.2 DTA 測(cè)量方法 12
8.3 介電常數(shù)方法 13
9 晶格常數(shù)的測(cè)量(Bond方法) 13
10 用X-射線(定向儀)測(cè)量晶面角度(定向)的方法 14
10.1 測(cè)量原理 14
10.2 測(cè)量方法 15
10.3 晶片取向的測(cè)量 15
10.4 OF方向的測(cè)量 15
10.5 典型的晶片切型和參考平面 15
11 晶片正面檢查方法 16
附錄A (規(guī)范性附錄) 壓電單晶的歐拉角表示法 17
附錄B(資料性附錄) SAW 晶片制作工藝 20
附錄C (資料性附錄) 本標(biāo)準(zhǔn)與IEC62276:2005的技術(shù)性差異及其原因 26

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