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硅外延用三氯氫硅化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦合等離子體質譜法 現行

Trichlorosilane for silicon epitaxy—Determination of boron,aluminium,phosphorus,vanadium,chrome,manganese,iron,cobalt,nickel,copper,arsenic,molybdenum and antimony content—Inductively coupled plasma mass spectrometric method

標準號：GB/T 29056-2012

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基本信息

標準號：GB/T 29056-2012
發布時間：2012-12-31
實施時間：2013-10-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：鄭華榮、劉新軍、龔磊榮、張莉萍、黃和明、陳逸君、虞磊
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 電子技術專用材料
ICS分類：  31.030
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
起草單位：南京中鍺科技股份有限公司、南京大學現代分析中心、南京大學國家863計劃新材料MO 源研究開發中心
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)

標準簡介

本標準規定了用電感耦合等離子體質譜儀(ICP-MS)測定硅外延用三氯氫硅(SiHCl3)中硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷、銻等痕量元素含量的方法。本標準適用于硅外延用三氯氫硅(SiHCl3)中硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷、銻等含量的測定。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本標準起草單位:南京中鍺科技股份有限公司、南京大學現代分析中心、南京大學國家863計劃新材料MO 源研究開發中心。
本標準主要起草人:鄭華榮、劉新軍、龔磊榮、張莉萍、黃和明、陳逸君、虞磊。

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