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半導體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分：外部目檢 現行

Semiconductor devices - Mechanical and climatic tests methods - Part 3: External visual examination

標準號：GB/T 4937.3-2012

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基本信息

標準號：GB/T 4937.3-2012
發布時間：2012-11-05
實施時間：2013-02-15
首發日期：2012-11-05
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：陳海蓉、李麗霞、崔波
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半導體分立器件綜合
ICS分類：31.080.01
提出單位：中國電子科技集團公司第十三研究所
起草單位：中國電子科技集團公司第十三研究所
歸口單位：全國半導體器件標準化技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）

標準簡介

T 4937的本部分的目的是驗證半導體器件的材料、設計、結構、標志和工藝質量是否符合適用的采購文件的要求。外部目檢是非破壞性試驗，適用于所有的封裝類型。本試驗用于鑒定檢驗、過程監控、批接收。

標準摘要

GB/T4937《半導體器件 機械和氣候試驗方法》由以下部分組成:
———第1部分:總則;
———第2部分:低氣壓;
———第3部分:外部目檢;
———第4部分:強加速穩態濕熱試驗(HAST);
———第5部分:穩態溫濕度偏置壽命試驗;
———第6部分:高溫貯存;
———第7部分:內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析;
———第8部分:密封;
———第9部分:標志耐久性;
———第10部分:機械沖擊;
———第11部分:快速溫度變化 雙液槽法;
———第12部分:變頻振動;
———第13部分:鹽氣;
———第14部分:引線牢固性(引線強度);
———第15部分:通孔安裝器件的耐焊接熱;
———第16部分:粒子碰撞噪聲檢測(PIND);
———第17部分:中子輻射;
———第18部分:電離輻射(總劑量);
———第19部分:芯片剪切強度;
———第20部分:塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱;
———第21部分:可焊性;
———第22部分:鍵合強度;
———第23部分:高溫工作壽命;
———第24部分:加速耐濕 無偏置強加速應力試驗;
———第25部分:溫度循環;
———第26部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗 人體模式(HBM);
———第27部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗 機械模式(MM);
———第28部分:靜電放電(ESD)敏感度試驗 器件帶電模式(CDM)(考慮中);
———第29部分:門鎖試驗;
———第30部分:非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理;
———第31部分:塑封器件的易燃性(內部引起的);
———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
———第33部分:加速耐濕 無偏置高壓蒸煮;
———第34部分:功率循環;
———第35部分:塑封電子元器件的聲學掃描;
———第36部分:恒定加速度;
———第37部分:手持電子產品用元器件桌面跌落試驗方法; ———第38部分:半導體器件的軟錯誤試驗方法;
———第39部分:半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量。
本部分是GB/T4937的第3部分。
本部分按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本部分使用翻譯法等同采用IEC60749-3:2002《半導體器件 機械和氣候試驗方法 第3部分:
外部目檢》。
為便于使用,本部分做了下列編輯性修改:
a) 用小數點“.”代替作為小數點的逗號“,”;
b) 刪除國際標準的前言。
本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本部分由全國半導體器件標準化技術委員會(SAC/TC78)歸口。
本部分起草單位:中國電子科技集團公司第十三研究所。
本部分主要起草人:陳海蓉、李麗霞、崔波。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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