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石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量 第6部分：激勵(lì)電平相關(guān)性（DLD）的測(cè)量 現(xiàn)行

Measurement of quartz crystal unit parameters Part 6: Measurement of drive level dependence (DLD)

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ/T 11212-1999

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：SJ/T 11212-1999
發(fā)布時(shí)間：1999-08-26
實(shí)施時(shí)間：1999-12-01
首發(fā)日期：
起草人：章怡、宋佩鈺、鄧鶴松、邊一林
標(biāo)準(zhǔn)分類： 石英晶體、壓電元件
提出單位：電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所
起草單位：電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所
歸口單位：電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本規(guī)范適用于石英晶體件激勵(lì)電平相關(guān)性（DLD）的測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定兩種試驗(yàn)方法。方法A，以SJ/Z9154.1-87的π型網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)，適宜 和于該標(biāo)覆蓋的整個(gè)頻率范圍。方法B，是振蕩器法，適用于固定條件下大批量基頻石英晶體件的測(cè)量。

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