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用柵控和非柵控二極管的電壓-電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的標準方法 已作廢

STANDARD test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

標準號：GB/T 14863-1993

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基本信息

標準號：GB/T 14863-1993
發布時間：1993-01-02
實施時間：1994-10-01
首發日期：1993-12-30
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：
作廢日期：2014-08-15
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半導體二極管
ICS分類：  29.040.30
起草單位：機械電子工業部所和所
歸口單位：信息產業部（電子）
發布部門：國家技術監督局
主管部門：信息產業部（電子）

標準簡介

本標準規定了用柵控和非柵控二極管的電壓?電容關系測定硅外延層中凈載流子濃度的原理、儀器與材料、樣品制備、測量步驟和數據處理。本標準適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值(見附錄Ｂ)的相同或相反導電類型襯底上的n型或p型外延層，也適用于體材料。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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