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硅片切口尺寸測試方法 現(xiàn)行

Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26067-2010

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 26067-2010
發(fā)布時間：2011-01-10
實施時間：2011-10-01
首發(fā)日期：2011-01-10
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：杜娟、孫燕、盧立延、樓春蘭
出版機構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
ICS分類：半導(dǎo)體材料
起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC 203/SC 2)

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)定性的提供了判定硅片基準(zhǔn)切口是否滿足標(biāo)準(zhǔn)限度要求的非破壞性測試方法。本方法的測試原理同樣適用于其他切口尺寸的測量。本標(biāo)準(zhǔn)中物體平面尺寸為0.1mm 時,通過20倍的放大后會在投影屏上形成2.0mm 的影像,通過50倍放大后會產(chǎn)生5.0mm 的投影。本方法可以發(fā)現(xiàn)切口輪廓上的最小尺寸細節(jié)。本標(biāo)準(zhǔn)不提供切口頂端的曲率半徑的測試。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會(SAC/TC203/SC2)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:杜娟、孫燕、盧立延、樓春蘭。

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