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低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測量方法 現行

Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

標準號：GB/T 34481-2017

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基本信息

標準號：GB/T 34481-2017
發布時間：2017-10-14
實施時間：2018-07-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：惠峰、普世坤、董汝昆
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬化學性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：云南中科鑫圓晶體材料有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司、中科院半導體研究所
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)、全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會(SAC/TC 203/SC 2)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了低位錯密度鍺單晶片的腐蝕坑密度(EPD)的測量方法。?本標準適用于測試位錯密度小于1 000個/cm??2?、直徑為75 mm~150 mm的圓形鍺單晶片的位錯腐蝕坑密度。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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