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半導(dǎo)體拋光液用硅溶膠中雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 -電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法 現(xiàn)行

Determination of impurities in silica sol for polishing solution in semiconductor industry—Inductively coupled plasma atomic emission spectrometric method

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):JC/T 2133-2012

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):JC/T 2133-2012
發(fā)布時(shí)間:2012-12-28
實(shí)施時(shí)間:2013-06-01
首發(fā)日期:
出版單位:建材工業(yè)出版社查看詳情>
起草人:陳奕睿 等
出版機(jī)構(gòu):建材工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類: 解熱鎮(zhèn)痛、麻醉與中樞神經(jīng)系統(tǒng)用藥
ICS分類:分析化學(xué)
起草單位:中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
歸口單位:全國(guó)工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)功能陶瓷分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門:中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法測(cè)定半導(dǎo)體拋光液用硅溶膠中雜質(zhì)元素含量的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中拋光液用的各種硅溶膠。

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