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用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程 現行

Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

標準號：GB/T 29057-2012

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基本信息

標準號：GB/T 29057-2012
發布時間：2012-12-31
實施時間：2013-10-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：梁洪、劉暢、陳自強、張新、藍志、張華端、瞿芬芬
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
起草單位：四川新光硅業科技有限責任公司、樂山樂電天威硅業科技有限責任公司、天威四川硅業有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC 203)

標準簡介

本標準采用區熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主、受主雜質濃度。測得的施主、受主雜質濃度可以用來計算按一定的目標電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量,也可以用來推算非摻雜硅棒的電阻率。

標準摘要

本標準按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。
本標準修改采用國際標準SEMIMF1723-1104《用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程》。為方便比較,資料性附錄A 中列出了本標準章條和對應的國際標準章條的對照一覽表。
本標準在采用SEMIMF1723-1104時進行了修改。這些技術差異用垂直單線標識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。主要技術差異如下:
———在“規范性引用文件”中,凡我國已有國家標準的,均用相應的國家標準代替SEMIMF1723-1104中的“引用文件”。
———增加規范性引用文件GB/T1553《硅和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法》。
———將6.2中“…ISO14644-1中規定的ISO5級…”改為“…GB50073中規定的5級…”。
———將7.2.1中“…ISO14644-1中規定的ISO6級…”改為“…GB50073中規定的6級…”。
———將7.3.1中“…ISO14644-1中規定的ISO6級…”改為“…GB50073中規定的6級…”。
———將7.3.1中“…1×10-6torr…”改為“…1.3×10-4Pa…”。
———將8.1中“硝酸(HNO3)———符合SEMIC352級”改為“硝酸(HNO3)———符合GB/T626優級純”。
———將8.2中“氫氟酸(HF)———符合SEMIC282級”改為“氫氟酸(HF)———符合GB/T620優級純”。
———將8.4中“去離子水———純度等于或優于ASTM D5127中的E-2級”改為“去離子水———純度等于或優于GB/T11446.1中的EW-2級”。
———將8.5中“高純氬氣———符合SEMIC3.42”改為“高純氬氣———符合GB/T4842優等品”。
———增加12.5.2.4“按照GB/T1553檢測晶棒體內少數載流子壽命。”
———將12.6.1中“…根據SEMIMF1391分析碳含量…”改為“…根據GB/T1558分析碳含量…”。
———將12.6.3.3中“…按測試方法SEMIMF1391…”改為“…按測試方法GB/T1558…”。
———將13.3.5.1中“…見SEMIMF723…”改為“…見GB/T13389…”。
———將14.1中“…在SEMIMF1391中…”改為“…在GB/T1558中…”。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出并歸口。
本標準起草單位:四川新光硅業科技有限責任公司、樂山樂電天威硅業科技有限責任公司、天威四川硅業有限責任公司。
本標準主要起草人:梁洪、劉暢、陳自強、張新、藍志、張華端、瞿芬芬。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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