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硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法 現(xiàn)行

Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6620-2009

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 6620-2009
發(fā)布時(shí)間：2009-10-30
實(shí)施時(shí)間：2010-06-01
首發(fā)日期：1986-07-26
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：張靜雯、蔣建國(guó)、田素霞、劉玉芹、樓春蘭
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)： 元素半導(dǎo)體材料
ICS分類(lèi)：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
起草單位：洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司，萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門(mén)：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門(mén)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡(jiǎn)稱硅片)翹曲度的非接觸式測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于50mm,厚度大于180μm 的圓形硅片。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片的翹曲度。本測(cè)試方法的目的是用于來(lái)料驗(yàn)收或過(guò)程控制。本測(cè)試方法也適用于監(jiān)視器件加工過(guò)程中硅片翹曲度的熱化學(xué)效應(yīng)。

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF6570705《硅片翹曲度和總厚度變化非接觸式測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF6570705相比,主要有如下變化:
---本標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有采用SEMI標(biāo)準(zhǔn)中總厚度變化測(cè)試部分內(nèi)容;
---本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試硅片厚度范圍比SEMI標(biāo)準(zhǔn)中要窄;
---本標(biāo)準(zhǔn)編制格式按GB/T1.1規(guī)定。
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6620-1995《硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T6620-1995相比,主要有如下變動(dòng):
---修改了測(cè)試硅片厚度范圍;
---增加了引用文件、術(shù)語(yǔ)、意義和用途、干擾因素和測(cè)量環(huán)境條件等章節(jié);
---修改了儀器校準(zhǔn)部分內(nèi)容;
---增加了仲裁測(cè)量;
---刪除了總厚度變化的計(jì)算;
---增加了對(duì)仲裁翹曲度平均值和標(biāo)準(zhǔn)偏差的計(jì)算。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司,萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:張靜雯、蔣建國(guó)、田素霞、劉玉芹、樓春蘭。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
---GB6620-1986、GB/T6620-1995。

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