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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測(cè)量方法 已作廢

Test method for determination of radial interstitial oxygen variation in silicon

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14144-1993

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 14144-1993
發(fā)布時(shí)間：1993-02-06
實(shí)施時(shí)間：1993-10-01
首發(fā)日期：1993-02-06
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：
作廢日期：2010-06-01
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法
ICS分類：  29.040.30
起草單位：中科院上海冶金研究所
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅晶體中間隙氧含量徑向變化的測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于01Ω·cm的硅晶體中間隙氧含量徑向變化的測(cè)量。

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