硅材料原生缺陷圖譜 現(xiàn)行
Metallographs collection for original defects of crystalline silicon
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 30453-2013
基本信息
標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 30453-2013
發(fā)布時間：2013-12-31
實施時間：2014-10-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：孫燕、曹孜、翟富義、楊旭、譚衛(wèi)東、黃笑容、樓春蘭、王飛堯、石宇、劉云霞、陳赫、梁洪、羅莉萍、李詠梅、齊步坤、李慧、向磊
出版機構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、東方電氣集團峨眉半導(dǎo)體材料有限公司、南京國盛電子有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
主管部門：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC 203/SC 2)
標(biāo)準(zhǔn)簡介
本標(biāo)準(zhǔn)給出了硅多晶、硅單晶、硅片和硅外延片等硅材料的各種原生缺陷及其密切相關(guān)誘生缺陷的術(shù)語及其形貌特征圖譜。分析了其產(chǎn)生的原因和消除方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅多晶、硅單晶、硅片和硅外延片等硅材料生產(chǎn)研究中各種缺陷的檢驗。硅器件、集成電路的生產(chǎn)研究也可參考本標(biāo)準(zhǔn)。
標(biāo)準(zhǔn)摘要
|
本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009制定的規(guī)則起草。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會(SAC/TC203/SC2)提出并歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、東方電氣集團峨眉半導(dǎo)體材料有限公司、南京國盛電子有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司、萬向硅峰電子股份有限公司、四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司、陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:孫燕、曹孜、翟富義、楊旭、譚衛(wèi)東、黃笑容、樓春蘭、王飛堯、石宇、劉云霞、陳赫、梁洪、羅莉萍、李詠梅、齊步坤、李慧、向磊。 |
標(biāo)準(zhǔn)目錄
| 前言 Ⅲ 1 范圍 1 2 規(guī)范性引用文件 1 3 術(shù)語和定義 1 4 硅多晶結(jié)構(gòu)的不完整性 1 5 硅單晶晶體缺陷 4 6 硅片加工缺陷 9 7 硅外延片缺陷 11 附錄 A (資料性附錄) 氫致缺陷圖 76 索引 79 |
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