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硅片彎曲度測試方法 現行

Test methods for bow of silicon wafers

標準號：GB/T 6619-2009

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基本信息

標準號：GB/T 6619-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1985-06-17
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)
起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規定了硅單晶切割片?研磨片?拋光片(以下簡稱硅片)彎曲度的接觸式測量方法?本標準適用于測量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度?本測試方法的目的是用于來料驗收和過程控制?本標準也適用于測量其他半導體圓片彎曲度?

標準摘要

本標準修改采用SEMIMF5340706《硅片彎曲度測試方法》。
本標準與SEMIMF5340706相比,主要變化如下:
---本標準接觸式測量方法格式按GB/T1.1格式編排;
---本標準根據我國實際生產情況增加了非接觸式測量方法。
本標準代替GB/T6619-1995《硅片彎曲度測試方法》。
本標準與GB/T6619-1995相比,主要有如下變動:
---擴大了可測量硅片范圍為直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于
250的圓形硅片;
---增加了引用文件、術語、意義用途、測量環境條件和干擾因素等章節;
---修改了儀器校正的內容。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司。
本標準主要起草人:劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯。
本標準所替代標準的歷次版本發布情況為:
---GB6619-1986、GB/T6619-1995。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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