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碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測(cè)試方法 現(xiàn)行

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30867-2014

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 30867-2014
發(fā)布時(shí)間：2014-07-24
實(shí)施時(shí)間：2015-02-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會(huì)川
出版機(jī)構(gòu)：中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 化合物半導(dǎo)體材料
ICS分類：半導(dǎo)體材料
提出單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)及材料分技術(shù)委員會(huì)
起草單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
歸口單位：全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)及材料分技術(shù)委員會(huì)
發(fā)布部門：中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測(cè)試方法,包括接觸式和非接觸式兩種方式。本標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13mm~1mm 的碳化硅單晶片

標(biāo)準(zhǔn)摘要

本標(biāo)準(zhǔn)按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)及材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:丁麗、周智慧、郝建民、藺嫻、何秀坤、劉筠、馮亞彬、裴會(huì)川。

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