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半導(dǎo)體分立器件 ＣＳ０５３２型砷化鎵微波功率場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范 現(xiàn)行

Semiconductor discrete device-Detail specification for type CS0532 GaAs microwave power field effect transistor

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 50033.54-1994

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號：SJ 50033.54-1994
發(fā)布時間：1994-09-30
實(shí)施時間：1994-12-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國電子工業(yè)出版社查看詳情>
起草人：黃玉英、李祖華、王長福
出版機(jī)構(gòu)：中國電子工業(yè)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 技術(shù)管理
起草單位：電子工業(yè)部第五十五研究所
歸口單位：中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布部門：中華人民共和國電子工業(yè)部

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本規(guī)范規(guī)定了ＣＳ０５３２型砷化鎵微波功率場效應(yīng)（以下簡稱器件）的詳細(xì)要求。本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。

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