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電子設備用固定電容器 第2部分：分規范 金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器 現行

Fixed capacitors for use in electronic equipment—Part 2:Sectional specification Fixed metallized polyethylene-terephthalate film dielectric d.c.capacitors

標準號：GB/T 7332-2011

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基本信息

標準號：GB/T 7332-2011
發布時間：2011-12-30
實施時間：2012-07-01
首發日期：1987-03-02
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：李素蘭、寧小波、張素霞、樊金河、李瑞菊
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 電容器
ICS分類：紙介電容器和塑料膜電容器
提出單位：中華人民共和國工業和信息化部
起草單位：鶴壁市華中科技電子有限責任公司
歸口單位：全國電子設備用阻容元件標準化技術委員會(SAC/TC 165)
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國電子設備用阻容元件標準化技術委員會(SAC/TC 165)

標準簡介

本部分適用于電子設備用的以金屬化層為電極并以聚乙烯對苯二甲酸酯(簡稱聚酯)膜為介質的直流固定電容器。這類電容器可能具有基于使用條件的“自愈特性”。主要用于交流分量小于額定電壓的場合。本部分電容器包括兩個性能等級,1級為長壽命用途,2級為一般用途。本部分不包括抑制電源電磁干擾用固定電容器和金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流片式固定電容器。這兩類電容器分別包括在IEC60384-14《電子設備用固定電容器 第14部分:分規范 抑制電源電磁干擾用固定電容器》及IEC60384-19《電子設備用固定電容器 第19部分:分規范 金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流片式固定電容器》部分中。

標準摘要

《電子設備用固定電容器》系列國家標準分為如下若干部分:
———第1部分:總規范(GB/T2693—2001/IEC60384-1:1999);
———第2部分:分規范 金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器(GB/T7332—2011/IEC60384-2:2005);
———第2-1部分:空白詳細規范 金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器 評定水平E和EZ(IEC60384-2-1:2005);
———第3部分:分規范 表面安裝MnO2 固體電解質鉭固定電容器(IEC60384-3:2007);
———第3-1部分:空白詳細規范 表面安裝MnO2 固體電解質鉭固定電容器 評定水平EZ(IEC60384-3-1:2007);
———第4部分:分規范 固體和非固體電解質鋁電解電容器(GB/T5993—2003/IEC60384-4:1998,第1號修改單:2000);
———第4-1部分:空白詳細規范 非固體電解質鋁電解電容器 評定水平EZ(GB/T5994—2003/IEC60384-4:2000);
———第4-2部分:空白詳細規范 固體(MnO2)電解質的鋁電解固定電容器 評定水平EZ(IEC60384-4-2:2007);
———第6部分:分規范 金屬化聚丙烯薄膜介質直流固定電容器(IEC60384-6:2005);
———第6-1部分:空白詳細規范 金屬化聚丙烯薄膜介質直流固定電容器(IEC60384-6-1:2005);
———第7部分:分規范 金屬箔式聚苯乙烯膜介質直流固定電容器(GB/T10185);
———第7-1部分:空白詳細規范 金屬箔式聚苯乙烯膜介質直流固定電容器 評定水平E(可供認證用)(GB/T10186);
———第8部分:分規范 1類瓷介固定電容器(GB/T5966—2011/IEC60384-8:2005);
———第8-1部分:空白詳細規范 1 類瓷介固定電容器 評定水平EZ(GB/T5967—2011/IEC60384-8-1:2005);
———第9部分:分規范 2類瓷介固定電容器(GB/T5968—2011/IEC60384-9:2005);
———第9-1部分:空白詳細規范 2類瓷介固定電容器 評定水平EZ(IEC60384-9-1:2005);
———第11部分:分規范 金屬箔式聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯膜介質直流固定電容器(IEC60384-11:2008);
———第11-1部分:空白詳細規范 金屬箔式聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯膜介質直流固定電容器(IEC60384-11-1:2008);
———第12部分:分規范 金屬箔式聚碳酸酯膜介質直流固定電容器(IEC60384-12:1988);
———第12-1部分:空白詳細規范 金屬箔式聚碳酸酯膜介質直流固定電容器 評定水平E(IEC60384-12-1:1988);
———第13部分:分規范 金屬箔式聚丙烯膜介質直流固定電容器(IEC60384-13:2006);
———第13-1部分:空白詳細規范 金屬箔式聚丙烯膜介質直流固定電容器 評定水平E(IEC60384-13-1:2006);
———第14部分:分規范 抑制電源電磁干擾用固定電容器(GB/T14472—1998/IEC60384-14:1993,第1號修改單:1995);
———第14-1部分:空白詳細規范 抑制電源電磁干擾用固定電容器 評定水平D(GB/T14473—GB/T7332—2011/IEC60384-2:2005
1998/IEC60384-14-1:1993);
———第15部分:分規范 非固體或固體電解質鉭電容器(GB/T7213—2003/IEC60384-15:1982,第1號修改單:1987,第2號修改單:1992);
———第15-1部分:空白詳細規范 非固體電解質箔電極鉭電容器 評定水平E(可供認證用)
(GB/T12794—1991/IEC60384-15-1:1984);
———第15-2部分:空白詳細規范 非固體電解質多孔陽極鉭電容器 評定水平E(可供認證用)
(GB/T12795—1991/IEC60384-15-2:1984);
———第15-3部分:空白詳細規范 固體電解質和多孔陽極鉭電容器 評定水平E(GB/T7214—2003/IEC60384-15-3:1992);
———第16部分:分規范 金屬化聚丙烯薄膜介質直流固定電容器(IEC60384-16:2005);
———第16-1部分:空白詳細規范 金屬化聚丙烯薄膜介質直流固定電容器 評定水平E 和EZ(GB/T10191—2011/IEC60384-16-1:2005);
———第17部分:分規范 金屬化聚丙烯薄膜介質交流和脈沖固定電容器(IEC60384-17:2005);
———第17-1部分:空白詳細規范 金屬化聚丙烯薄膜介質交流和脈沖固定電容器 評定水平EZ(IEC60384-17-1:2005);
———第18部分:分規范 固體(MnO2)和非固體電解質片式鋁固定電容器(GB/T17206—1998/IEC60384-18:1993,第1號修改單:1998);
———第18-1部分:空白詳細規范 表面安裝固體(MnO2)電解質鋁固定電容器 評定水平EZ(IEC60384-18-1:2007);
———第18-2部分:空白詳細規范 非固體電解質片式鋁固定電容器 評定水平E(GB/T17208—1998/IEC60384-18-2:1993);
———第19部分:分規范 表面安裝金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器(IEC60384-19:2006);———第19-1部分:空白詳細規范 表面安裝金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器
評定水平E(IEC60384-19-1:2006);
———第21部分:分規范 表面安裝1類多層瓷介固定電容器(GB/T21041—2007/IEC60384-21:2004);
———第21-1 部分:空白詳細規范 表面安裝1 類多層瓷介固定電容器 評定水平EZ(GB/T21038—2007/IEC60384-21-1:2004);
———第22部分:分規范 表面安裝2類多層瓷介固定電容器(GB/T21042—2007/IEC60384-22:2004);
———第22-1 部分:空白詳細規范 表面安裝2 類多層瓷介固定電容器 評定水平EZ(GB/T21040—2007/IEC60384-22-1:2004)。
本部分為《電子設備用固定電容器》系列國家標準的第2部分。
本部分按GB/T1.1—2009和GB/T20000.2—2009給出的規則起草。
本部分使用翻譯法等同采用IEC60384-2:2005《電子設備用固定電容器 第2部分:分規范 金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器》。
與本部分中規范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下:
———GB/T321—2005 優先數和優先數系(ISO3:1973,IDT)
———GB/T2421.1—2008 電工電子產品環境試驗 概述和指南(IEC60068-1:1988,IDT)
———GB/T2693—2001 電子設備用固定電容器 第1部分:總規范(IEC60384-1:1999,IDT)
———GB/T7333 電子設備用固定電容器 第2-1部分:空白詳細規范 金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器評定水平E(IEC60384-2-1:2005,IDT)
本部分做了下列編輯性修改:
———刪除IEC前言;
———本標準一詞改為本部分。
本部分代替GB/T7332—1996。本部分與GB/T7332—1996相比,主要變化如下:
———增加了金屬化聚乙烯對苯二甲酸酯膜介質直流固定電容器評定水平EZ;
———A1試驗分組的檢查水平“S-4”、A2試驗分組的檢查水平“Ⅱ”均調整為“S-3”;
———調整了充放電試驗的充放電速率試驗值;
———振動試驗的振幅、碰撞試驗的加速度及沖擊試驗峰值加速度分別調整為“0.75mm或100m/s2”、“400m/s2 或100m/s2”和“300m/s2,500m/s2,1000m/s2”。
本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出。
本部分由全國電子設備用阻容元件標準化技術委員會(SAC/TC165)歸口。
本部分起草單位:鶴壁市華中科技電子有限責任公司。
本部分主要起草人:李素蘭、寧小波、張素霞、樊金河、李瑞菊。
本部分所代替標準的歷次版本發布情況為:
———GB7332—88;
———GB/T7332—1996。

標準目錄

前言 Ⅰ
1 總則 1
1.1 范圍 1
1.2 目的 1
1.3 規范性引用文件 1
1.4 詳細規范中應規定的內容 2
1.5 術語和定義 2
1.6 標志 3
2 優先額定值和特性 3
2.1 優先特性 3
2.2 優先額定值 4
3 質量評定程序 4
3.1 初始制造階段 4
3.2 結構類似元件 4
3.3 放行批證明記錄 4
3.4 鑒定批準 4
3.5 質量一致性檢驗 11
4 試驗和測量程序 13
4.1 外觀和尺寸檢查 13
4.2 電氣試驗 13
4.3 引出端強度 16
4.4 耐焊接熱 16
4.5 可焊性 16
4.6 溫度快速變化 16
4.7 振動 16
4.8 碰撞 17
4.9 沖擊 17
4.10 氣候順序 17
4.11 穩態濕熱 18
4.12 耐久性 18
4.13 充電和放電 19
4.14 元件耐溶劑 20
4.15 標志耐溶劑 20
參考文獻 21

替代情況

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引用標準

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采標情況

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