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硅外延層電阻率測試方法(電容-電壓法)(暫行) 已廢止

Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional)

標準號：SJ 1551-1979

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基本信息

標準號：SJ 1551-1979
發(fā)布時間：1980-03-01
實施時間：1980-06-01
首發(fā)日期：
起草人：
作廢日期：2010-02-01
標準分類： 半金屬
發(fā)布部門：中華人民共和國第四機械工業(yè)部

標準簡介

本標準規(guī)定了N/N、P/P結(jié)構(gòu)硅外延片的凈雜質(zhì)濃度，通過凈雜質(zhì)濃度與電阻率的關(guān)系曲線，可求得電阻率。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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