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硅片局部平整度非接觸式標準測試方法 現行

Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning

標準號:GB/T 19922-2005

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基本信息

標準號:GB/T 19922-2005
發布時間:2005-09-19
實施時間:2006-04-01
首發日期:2005-09-19
出版單位:中國標準出版社查看詳情>
起草人:史炯、蔣建國、陳興邦、賀東江、王文、鄧德翼
出版機構:中國標準出版社
標準分類: 半金屬及半導體材料分析方法
ICS分類:金屬材料試驗綜合
提出單位:中國有色金屬工業協會
起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司
歸口單位:信息產業部(電子)
發布部門:中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國家標準化管理委員會
主管部門:信息產業部(電子)

標準簡介

本標準規定了用電容位移傳感法測定硅片表面局部平整度的方法。本標準適用于無接觸、非破壞性地測量干燥、潔凈的半導體硅片表面的局部平整度。適用于直徑100mm及以上、厚度250μm及以上腐蝕、拋光及外延硅片。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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