微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性、耐焊性測定 現行
Test methods of precious metals pastes used for microelectronics - Determination of solderability and solderelaching resistance
標準號：GB/T 17473.7-2008
本標準規定了微電子技術用貴金屬可焊漿料的可焊性、耐焊性測定方法。本標準適用于微電子技術用貴金屬可焊漿料的可焊性、耐焊性測定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性、耐焊性試驗》。本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８相比，主要有如下變動：———范圍去除“非貴金屬漿料可焊漿料亦可參照使用”內容；———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定；———將原標準厚膜隧道燒結爐，溫度范圍為室溫～１０００℃。改為：厚膜隧道燒結爐，最高使用溫度為１０００℃，控制精度在±５℃；———將原標準控制焊料熔融溫度為２３５℃±５℃改為：根據不同的焊料確定溫度；———將原標準“浸入和取出速度為（２５±５）ｍｍ／ｓ”刪除；———將原標準“導體浸入焊料界面深度為２ｍｍ”改為“導體浸入焊料界面深度為２ｍｍ 以下”；———將原標準“浸入時間為５ｓ±１ｓ。浸入時間為１０ｓ±１ｓ”改為“浸入時間根據不同漿料”確定；———將原標準８．１．１中“在放大鏡下觀察，若基片印刷圖案導電膜接受焊錫的面積不小于９５％，則為可焊性好，小于９５％為可焊性差”修改為“在放大鏡下觀察，若基片印刷圖案導電膜接受焊錫的面積不小于圖案面積的９／１０，則為可焊性好，小于９／１０為可焊性差”；———將原標準８．１．２中“基片印刷圖案若有５％未焊的面積集中在某一角，則可焊性差”修改為“基片印刷圖案若有１／５未焊面積，則可焊性差”。
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本標準是對gb/t17473-1998 《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》(所有部分)的整合修訂,分為7個部分: ---gb/t17473.1-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 固體含量測定; ---gb/t17473.2-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 細度測定; ---gb/t17473.3-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 方阻測定; ---gb/t17473.4-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 附著力測試; ---gb/t17473.5-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 粘度測定; ---gb/t17473.6-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 分辨率測定; ---gb/t17473.7-2008 微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性?耐焊性測定? 本部分為gb/t17473-2008的第7部分? 本部分代替gb/t17473.7-1998《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法 可焊性?耐焊性試驗》? 本部分與gb/t17473.7-1998相比,主要有如下變動: ---范圍去除非貴金屬漿料可焊漿料亦可參照使用內容; ---將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性?耐焊性測定; ---將原標準厚膜隧道燒結爐,溫度范圍為室溫~1000℃?改為:厚膜隧道燒結爐,最高使用溫度為1000℃,控制精度在±5℃; ---將原標準控制焊料熔融溫度為235℃±5℃改為:根據不同的焊料確定溫度; ---將原標準浸入和取出速度為(25±5)mm/s刪除; ---將原標準導體浸入焊料界面深度為2mm改為導體浸入焊料界面深度為2mm 以下; ---將原標準浸入時間為5s±1s?浸入時間為10s±1s改為浸入時間根據不同漿料確定; ---將原標準8.1.1中在放大鏡下觀察,若基片印刷圖案導電膜接受焊錫的面積不小于95%,則為可焊性好,小于95%為可焊性差。 本部分由中國有色金屬工業協會提出。 本部分由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。 本部分由貴研鉑業股份有限公司負責起草。 本部分主要起草人：李文琳、陳伏生、馬曉峰、朱武勛、李晉。 本部分所代替標準的歷次版本發布情況為： ---ｇｂ／ｔ１７４７３．７-１９９８。 |
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