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硅片表面平整度測試方法 現行

Testing methods for surface flatness of silicon slices

標準號：GB/T 6621-2009

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基本信息

標準號：GB/T 6621-2009
發布時間：2009-10-30
實施時間：2010-06-01
首發日期：1986-07-26
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：徐新華、嚴世權、王珍
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 半金屬與半導體材料綜合
ICS分類：半導體材料
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
起草單位：上海合晶硅材料有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會

標準簡介

本標準規定了用電容位移傳感器測定硅拋光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蝕片也可參考此方法。本標準適用于測量標準直徑76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,電阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅拋光片的表面平整度和直觀描述硅片表面的輪廓形貌。

標準摘要

本標準代替GB/T6621-1995《硅拋光片表面平整度測試方法》。
本標準與GB/T6621-1995相比,主要變動如下:
---將名稱修改為硅片表面平整度測試方法;
---去掉了目前較少采用的干涉法,只保留了目前常用的電容法;
---增加引用標準;
---對方法提要、儀器裝置、測量程序、計算進行了全面修改;
---經實驗重新確定了精密度;
---在第一章增加本標準適用的試樣范圍;
---在試樣一章中說明對所測試樣的要求。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準主要起草單位:上海合晶硅材料有限公司。
本標準主要起草人:徐新華、嚴世權、王珍。
本標準所替代標準的歷次版本發布情況為:
---GB/T6621-1986、GB/T6621-1995。

替代情況

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引用標準

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本標準相關公告

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采標情況

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