
Partially depleted gold silicon surface barrier detectors
標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 13178-2008
本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC 60333:1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測(cè)器 測(cè)試程序》。本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T 13178-1991《金硅面壘型探測(cè)器》。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器(簡(jiǎn)稱探測(cè)器)的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器(不包括位置靈敏探測(cè)器)。鋰漂移金硅面壘型探測(cè)器也可參照?qǐng)?zhí)行。本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T 13178-1991的大部分內(nèi)容,對(duì)其的主要修改如下:——增加前言;——引用新的規(guī)范性文件;——產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A型,刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C型;——部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器的分類僅保留最小耗盡層深度為300μm一類,而主要性能增加“允許最大噪聲”。
本標(biāo)準(zhǔn)參考了IEC60333:1993《核儀器 半導(dǎo)體帶電粒子探測(cè)器 測(cè)試程序》。 本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T13178-1991《金硅面壘型探測(cè)器》(以下簡(jiǎn)稱原標(biāo)準(zhǔn))。 本標(biāo)準(zhǔn)保留GB/T13178-1991的大部分內(nèi)容,對(duì)其的主要修改如下: ---增加前言; ---引用新的規(guī)范性文件; ---產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸僅保留A 型,刪去原標(biāo)準(zhǔn)的B型和C 型; ---部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器的分類僅保留最小耗盡層深度為300μm 一類,而主要性能增加允許最大噪聲。 本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)核工業(yè)集團(tuán)公司提出。 本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。 本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中核(北京)核儀器廠。 本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李志勇。 本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:GB/T13178-1991。 |
暫未檢測(cè)到相關(guān)機(jī)構(gòu),邀您申請(qǐng)入駐~
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