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硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法 現(xiàn)行

Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 35306-2017

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基本信息

標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：GB/T 35306-2017
發(fā)布時(shí)間：2017-12-29
實(shí)施時(shí)間：2018-07-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社查看詳情>
起草人：張?jiān)茣?、韓小月、毛智慧、趙建為、劉曉霞、王桃霞、田洪先、劉明軍、銀波、劉國霞、蔡延國、秦榕、童孟、錢津旺、楊紅燕
出版機(jī)構(gòu)：中國標(biāo)準(zhǔn)出版社
標(biāo)準(zhǔn)分類： 半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法
ICS分類：金屬材料試驗(yàn)
提出單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
起草單位：昆明冶研新材料股份有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亞洲硅業(yè)(青海)有限公司、青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司、陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司
歸口單位：全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203)、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC 203/SC 2)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
主管部門：國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

標(biāo)準(zhǔn)簡介

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的測定。

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引用標(biāo)準(zhǔn)

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