納米技術(shù) 晶圓級納米尺度相變存儲單元電學操作參數(shù)測試規(guī)范 現(xiàn)行
Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
標準號：GB/T 33657-2017
基本信息
標準號：GB/T 33657-2017
發(fā)布時間：2017-05-12
實施時間：2017-12-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：陳一峰、陳小剛、宋志棠
出版機構(gòu)：中國標準出版社
標準分類： 半導體集成電路
ICS分類：集成電路、微電子學
提出單位：中國科學院
起草單位：中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
歸口單位：全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會(SAC/TC 279)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：中國科學院
標準簡介
本標準規(guī)定了納米尺度相變存儲單元讀寫擦參數(shù)的晶圓測試規(guī)范，其測試結(jié)果可用于表征相變存儲材料或器件的電學可操作性能。?本標準適用于以硫系化合物為主要原料，基于半導體晶圓工藝加工制造的電極尺度小于100 nm的相變存儲單元，100 nm～300 nm的相變存儲單元也可參照本標準執(zhí)行。?本標準不適用于包含外圍驅(qū)動電路的存儲單元。?
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