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氮化鎵單晶襯底片x射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法 現(xiàn)行

Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate

標準號：GB/T 32188-2015

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基本信息

標準號：GB/T 32188-2015
發(fā)布時間：2015-12-10
實施時間：2016-11-01
首發(fā)日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：邱 永 鑫、任 國 強、劉 爭 暉、曾 雄 輝、王 建 峰、陳 小 龍、王 文 軍、鄭 紅 軍、徐 科、趙松彬
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 金屬物理性能試驗方法
ICS分類：金屬材料試驗
提出單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分(SAC/TC203/SC2)
起草單位：中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國科學院物理研究所、北京天科合達藍光半導體有限公司、丹東新東方晶體儀器有限公司
歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分(SAC/TC203/SC2)
發(fā)布部門：中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：國家標準化管理委員會

標準簡介

本標準規(guī)定了利用雙晶 X射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片搖擺曲線半高寬的方法。本標準適用于化學氣相沉積及其他方法生長制備的氮化鎵單晶襯底片。

標準摘要

本標準按照 GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)與全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分(SAC/TC203/SC2)共同提出并歸口。
本標準起草單位:中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、蘇州納維科技有限公司、中國科學院物理研究所、北京天科合達藍光半導體有限公司、丹東新東方晶體儀器有限公司。
本標準主要起 草 人:邱 永 鑫、任 國 強、劉 爭 暉、曾 雄 輝、王 建 峰、陳 小 龍、王 文 軍、鄭 紅 軍、徐 科、趙松彬。

替代情況

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引用標準

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采標情況

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