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光學晶體消光比的測量方法
光學晶體消光比的測量方法 現行
Test method for extinction ratio of optical crystal
標準號：GB/T 11297.12-2012
基本信息
標準號：GB/T 11297.12-2012
發布時間：2012-12-31
實施時間：2013-06-01
首發日期：
出版單位：中國標準出版社查看詳情>
起草人：謝克誠、金中洪、楊潔、張曉梅
出版機構：中國標準出版社
標準分類： 石英晶體、壓電元件
ICS分類：壓電器件和介質器件
起草單位：中國電子科技集團公司第二十六研究所
歸口單位：中國電子技術標準化研究所
發布部門：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
主管部門：工業和信息化部（電子）
標準簡介
GB/T11297的本部分規定了采用波長為632.8nm 的光波沿單軸光學晶體光軸方向消光比的測量方法。本部分適用于采用波長為632.8nm、1064nm、830nm、514nm、488nm、458nm 的光波對單軸和等軸光學晶體的消光比測量。
標準摘要
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本部分按照GB/T1.1—2009給出的規則起草。 本部分代替GB/T11297.12—1989《電光晶體鈮酸鋰、磷酸二氫鉀和磷酸二氘鉀消光比的測量方法》。 本部分與GB/T11297.12—1989相比,主要有如下變動: ———對原部分的名稱進行了修改。原部分名稱“電光晶體鈮酸鋰、磷酸二氫鉀和磷酸二氘鉀消光比的測量方法”改為“光學晶體消光比的測量方法”。本部分還將標準適用范圍擴展到采用其他波長測量的單軸和等軸光學晶體; ———對原部分測量系統消光比指標進行了修改,原部分測量系統指標為100000∶1,需配備輸出功率較高(P≥15mW)的氦氖激光器。現部分測量系統指標修訂為50000∶1,采用輸出功率大于2mW 的氦氖激光器; ———原部分消光比指標表示方法只有×××××∶1。本部分增加了分貝表示方法; ———本部分增加了將被測晶體置于正交偏光系統中時透射光強取最大值; ———本部分增加了測量系統應采用必要的光屏蔽措施的要求; ———本部分增加了測量環境條件要求; ———本部分增加了被測晶體兩通光端面的粗糙度要求; ———本部分增加了測試系統的通光孔徑為5mm 的規定,供、需雙方還可根據樣品尺寸協商確定通光孔徑的大小; ———本部分增加了光束直徑為被測樣品直徑的90%的規定,供、需雙方還可根據樣品尺寸協商確定光束直徑的大小。 本部分由中華人民共和國工業和信息化部提出。 本部分由中國電子技術標準化研究所歸口。 本部分由中國電子科技集團公司第二十六研究所負責起草。 本部分主要起草人:謝克誠、金中洪、楊潔、張曉梅。 本部分所代替標準的歷次版本發布情況為: ———GB/T11297.12—1989。 |
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